2026-09-04
ETQ8134M 是一款高集成度、宽输入电压、3A 输出同步降压转换器。该芯片可实现最少外围器件配置,同时优化实现极低待机电流,满足车载与工业级低功耗需求。
本品采用自适应恒定导通时间(ACOT)架构,具备优异的快速瞬态响应能力;支持低等效串联电阻(ESR)输出电容与超低 ESR 陶瓷电容,无需外部补偿网络。轻载条件下自动进入脉冲频率调制(PFM)模式,保持高效运行。


● 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车应用 器件温度等级 1:-40°C 至 125°C
● 具有快速瞬态响应的ACOT模式控制
● 轻载运行时的PFM模式
● 低关断电流,小于 5 µA
● 从预偏置输出电压开始启动
● 每周期过流限制
● 抖动模式过流保护
● 非锁存型 UVP 和 TSD 保护
● 固定软启动:1.0毫秒
● 封装形式:ESOP8
ETQ8134M EVB 电磁干扰(EMI)电路图

● EMI 降低要点t
通过在电源输入端(VIN)添加EMI滤波器,可以降低传导发射噪声和辐射发射噪声。
该EMI滤波器由C1、CMCC、C2、BEAD、C4、L和C5组成。
RSW和CSW放置在开关级,用于衰减开关脉冲和振铃脉冲,从而降低辐射发射噪声。
此时,随着CSW的电容值增大,ETQ8134M的效率会降低。因此,在实际设计的电路中,应在效率与EMI改善效果之间选择一个合适的值。


● 输入电容(CIN1 和 CIN2)应与 ETQ8134M 位于同一层,并尽可能靠近 VIN 输入引脚放置。
● 功率电感 L1 靠近芯片摆放,最小化开关节点辐射;覆铜面积略大于焊盘即可。
● 电感 L1 正下方禁止布地或任何信号线。
● 输出电容 CO1/CO2 靠近电感放置,减小充放电环路面积。
● FB 分压电阻靠近芯片摆放,走线远离电感等噪声源。
● 底板地层通过共模电感 CMCC 连接功率地。
● 顶层地单独分割,形成静态屏蔽区。
● 输入 / 输出主功率回路建议布在内层。
● EMI 滤波电路远离主功率芯片区域。
● EMI 滤波器附近四层板尽量不留地,尤其 CMCC 周边,避免辐射干扰通过地耦合到电源线。





